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在介紹SPICE基礎(chǔ)知識時介紹了最復(fù)雜和重要的電路描述語句，其中就包括元器件描述語句。許多元器件（如二極管、晶體管等）的描述語句中都有模型關(guān)鍵字，而電阻、電容、電源等的描述語句中也有模型名可選項(xiàng)，這些都要求后面配以.MODEL起始的模型描述語句，對這些特殊器件的參數(shù)做詳細(xì)描述。
電阻、電容、電源等的模型描述語句語句比較簡單，也比較容易理解，在SPICE基礎(chǔ)中已介紹，就不再重復(fù)了；二極管、雙極型晶體管的模型雖也做了些介紹，但不夠詳細(xì)，是本文介紹的重點(diǎn)，以便可以自己制作器件模型；場效應(yīng)管、數(shù)字器件的模型過于復(fù)雜，太專業(yè)，一般用戶自己難以制作模型，只做簡單介紹。
元器件的模型非常重要，是影響分析精度的重要因素之一。但模型中涉及太多圖表，特別是很多數(shù)學(xué)公式，都是在WORD下編輯后再轉(zhuǎn)為JEPG圖像文件的，很繁瑣和耗時，所以只能介紹重點(diǎn)。
一、二極管模型：
1.1??理想二極管的I-V特性：
1.2? 實(shí)際硅二極管的I-V特性曲線：折線
1.3??DC大信號模型：
1.4?? 電荷存儲特性：
1.5? 大信號模型的電荷存儲參數(shù)Qd：
1.6? 溫度模型：
1.7? 二極管模型參數(shù)表：
二、雙極型晶體管BJT模型：
2.1 ?Ebers-Moll靜態(tài)模型：電流注入模式和傳輸模式兩種
2.1.1 電流注入模式：
2.1.2 傳輸模式：
2.1.3 在不同的工作區(qū)域，極電流Ic Ie的工作范圍不同，電流方程也各不相同：
2.1.4 Early效應(yīng)：基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)
2.1.5 帶Rc、Re、Rb的傳輸靜態(tài)模型：
正向參數(shù)和反向參數(shù)是相對的，基極接法不變，而發(fā)射極和集電極互換所對應(yīng)的兩種狀態(tài)，分別稱為正向狀態(tài)和反向狀態(tài)，與此對應(yīng)的參數(shù)就分別定義為正向參數(shù)和反向參數(shù)。
2.2??Ebers-Moll大信號模型：
2.3????? Gummel-Pool靜態(tài)模型：
2.4??? Gummel-Pool大信號模型：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與Ebers-Moll大信號模型相同，非線性存儲元件電壓控制電容的方程也相同
2.5??? BJT晶體管模型總參數(shù)表：
?
三、 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MOSFET模型：
3.1 一級靜態(tài)模型：Shichman-Hodges模型
3.2? 二級靜態(tài)模型（大信號模型）：Meyer模型
3.2.1? 電荷存儲效應(yīng)：
3.2.2??PN結(jié)電容：
3.3? 三級靜態(tài)模型：
3.2??MOSFET模型參數(shù)表：
一級模型理論上復(fù)雜，有效參數(shù)少，用于精度不高場合，迅速粗略估計電路
二級模型可使用復(fù)雜程度不同的模型，計算較多，常常不能收斂
三級模型精度與二級模型相同，計算時間和重復(fù)次數(shù)少，某些參數(shù)計算比較復(fù)雜
四級模型BSIM，適用于短溝道（<3um）的分析，Berkley在1987年提出
四、結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET模型：基于Shichman-Hodges模型
4.1??N溝道JFET靜態(tài)模型：
?
4.2? JFET大信號模型：
?
4.3? JFET模型參數(shù)表：
?
五、?GaAs MESFET模型：分兩級模型（肖特基結(jié)作柵極）
GaAs MESFET模型參數(shù)表：
六、?數(shù)字器件模型：
6.1??標(biāo)準(zhǔn)門的模型語句： .MODEL <(model)name> UGATE [模型參數(shù)]
標(biāo)準(zhǔn)門的延遲參數(shù)：
6.2? 三態(tài)門的模型語句： .MODEL <(model)name> UTGATE [模型參數(shù)]
三態(tài)門的延遲參數(shù)：
6.3? 邊沿觸發(fā)器的模型語句： .MODEL <(model)name> UEFF [模型參數(shù)]
邊沿觸發(fā)器參數(shù)：
JKFF? nff? preb,clrb,clkb,j*,k*,g*,gb*??????? JK觸發(fā)器，后沿觸發(fā)
DFF?? nff? preb,clrb,clk,d*,g*,gb* ??????????D觸發(fā)器，前沿觸發(fā)
邊沿觸發(fā)器時間參數(shù)：
6.4??鐘控觸發(fā)器的模型語句： .MODEL <(model)name> UGFF [模型參數(shù)]
鐘控觸發(fā)器參數(shù)：
SRFF? nff? preb,clrb,gate,s*,r*,q*,qb*??????? SR觸發(fā)器，時鐘高電平觸發(fā)
DLTCH? nff? preb,clrb,gate,d*,g*,gb*???????? D觸發(fā)器，時鐘高電平觸發(fā)
鐘控觸發(fā)器時間參數(shù)：
6.5??可編程邏輯陣列器件的語句：
U <name> <pld type> (<#inputs>,<#outputs>) <input_node>* <output_node>#
+<(timing model)name> <(io_model)name> [FILE=<(file name) text value>]
+[DATA=<radix flag>$ <program data>$][MNTYMXDLY=<(delay select)value>]
+[IOLEVEL=<(interface model level)value>]
??????? 其中：<pld type>列表
????????????? <(file name) text value>? JEDEC格式文件的名稱，含有陣列特定的編程數(shù)據(jù)
?????????????????????? ?????????????????JEDEC文件指定時，DATA語句數(shù)據(jù)可忽略
????????????? <radix flag>? 是下列字母之一：B 二進(jìn)制??? O 八進(jìn)制??? X 十六進(jìn)制
????????????? <program data>? 程序數(shù)據(jù)是一個數(shù)據(jù)序列，初始都為0
??? PLD時間模型參數(shù)：
七、 數(shù)字I/O接口子電路：數(shù)字電路與模擬電路連接的界面節(jié)點(diǎn)，SPICE自動插入此子電路
???????? 子電路名（AtoDn和DtoAn）在I/O模型中定義，實(shí)現(xiàn)邏輯狀態(tài)與電壓、阻抗之間的轉(zhuǎn)換。
7.1? N模型：數(shù)字輸入N模型將邏輯狀態(tài)（1? 0? X? Z）轉(zhuǎn)換成相對應(yīng)的電壓、阻抗。
??? 數(shù)字模擬器的N模型語句：
??????? N <name> <(interface)node> <(low level)node> <(high level)node> <(model)name>
??????? +DGTLNET=<(digital net)name> <(digital IO model)name> [IS=(initial state)]
??? 數(shù)字文件的N模型語句：
??????? N <name> <(interface)node> <(low level)node> <(high level)node> <(model)name>
??????? +[SIGNAME=<(digital signal)name> [IS=(initial state)]
??? 模型語句：? .MODEL <(model)name> DINPUT [(模型參數(shù))]
模型參數(shù)表：
7.2? O模型：將模擬電壓轉(zhuǎn)換為邏輯狀態(tài)（1? 0? X? Z），形成邏輯器件的輸入級。
節(jié)點(diǎn)狀態(tài)由接口節(jié)點(diǎn)和參考節(jié)點(diǎn)之間的電壓值決定，將該電壓值與當(dāng)前電壓序列進(jìn)行比較，如果落在當(dāng)前電壓序列中，則新狀態(tài)與原狀態(tài)相同；如果不在當(dāng)前電壓序列中，則從S0NAME開始檢查，第一個含有該電壓值的電壓序列可確定為新狀態(tài)。如果沒有電壓序列包含這個電壓值，則新狀態(tài)為？（狀態(tài)未知）。
? 數(shù)字模擬器的O模型語句：
????? O <name> <(interface)node> <node> <(model)name>
????? +DGTLNET=<(digital net)name> <(digital IO model)name>
? 數(shù)字文件的O模型語句：
????? O <name> <(interface)node> <node> <(model)name>
????? +[SIGNAME=<(digital signal)name>
? 模型語句：? .MODEL <(model)name> DOUTPUT [(模型參數(shù))]
模型參數(shù)表：
八、 數(shù)學(xué)宏模型：作為電路功能塊或?qū)嶒?yàn)儀器插入電路系統(tǒng)中，代替或模擬電路系統(tǒng)的部分功能，有24種
8.1? 電壓加法器：
?
8.2 電壓乘法器：
8.3 電壓除法器：
8.4? 電壓平方：基本運(yùn)算方程：
8.5 理想變壓器：
8.6? 電壓求平方根：方程 
8.7? 三角波/正弦波轉(zhuǎn)換器：三角波峰-峰值為2V，其中C=PI/2
8.8? 電壓相移：
?
8.9 電壓積分器：
?
8.10 電壓微分器：
8.11 電壓絕對值：（略）
8.12 電壓峰值探測器：（略）
8.13 頻率乘法器：
8.14 頻率除法器：
8.15 頻率加法器/減法器：
8.16 相位探測器：
8.17 傳輸線：模擬信號延遲（略）
8.18 施密特觸發(fā)器：
為避免不收斂，不使用DC掃描，將模型中加入PWL源，產(chǎn)生緩變上升/下降斜波，與瞬態(tài)分析效果相同
8.19 電壓取樣-保持電路：（略）
8.20 脈沖寬度調(diào)制器：（略）
8.21 電壓幅度調(diào)制器：（略）
8.22 電壓對數(shù)放大器：（略）
8.23?N次根提取電路：?
8.24 拉氏變換：（略）
九、系統(tǒng)方程宏模型：可作為功能塊代替某些未知的電路或不需要分析的電路，插入電路中，使電路系統(tǒng)的分析變得簡單明了。
9.1? 積分器子電路：作為求解微分方程組的基本運(yùn)算部件，可在10MHz下工作
子電路描述文件：
* Integrator Subcircuit
. Subckt int 1 2
Gi 0 2 1 0 1u
Ci 2 0 1uf
Ro 2 0 1000MEG
.ENDS INT
9.2? 電感型微分電路：受控源G的控制電壓為Vin，輸出電流i
9.3? 電容型微分電路：
9.4? 網(wǎng)絡(luò)函數(shù)的SPICE模型：高階網(wǎng)絡(luò)函數(shù)可分解為幾個較簡單的一階、二階函數(shù)，用級聯(lián)和耦合結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)
?
十、非線性器件的模型：
10.1 電容型傳感器：檢測元件是非線性電容
?
?10.2 光敏電阻：時變電阻
?
?10.3 變?nèi)荻O管：壓控電容
?
10.4 負(fù)值電感：（略）
10.5 負(fù)值電容：（略）
10.6 運(yùn)算放大器：（略）
10.6.1? 簡單理想運(yùn)算放大器：電壓控制電壓源
10.6.2? 簡單非理想運(yùn)放宏模型
10.6.3? 精確運(yùn)算放大器宏模型