詹姆斯·M·厄利(James M. Early)發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象，厄利效應(yīng)（英語：Early effect），又譯厄爾利效應(yīng)，也稱基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，是指當(dāng)雙極性晶體管（BJT）的集電極－射極電壓VCE改變，基極－集電極耗盡寬度WB-C（耗盡區(qū)大小）也會跟著改變。此變化稱為厄利效應(yīng)，由詹姆斯·M·厄利（James M. Early）所發(fā)現(xiàn)。

現(xiàn)象

圖1中的有效中性基區(qū)為綠色，基區(qū)相鄰的耗盡區(qū)為畫有陰影的淡綠色，中性發(fā)射區(qū)和集電區(qū)為深藍(lán)色，集電區(qū)相鄰的耗盡區(qū)為畫有陰影的淡藍(lán)色。從圖1中可以看到，若集電極－基極反向偏置增大，則基區(qū)相鄰的耗盡區(qū)越寬，中性基區(qū)越窄。

在反向偏置電壓的作用下，集電區(qū)相鄰的耗盡區(qū)也會變寬，寬度超過基區(qū)相鄰的耗盡區(qū)，因為集電區(qū)摻雜低。中性區(qū)和耗盡區(qū)的寬度的和要保持不變，因為二者符合電中和原理。集電區(qū)變窄不會產(chǎn)生非常大的影響，因為其寬度遠(yuǎn)大于基區(qū)。發(fā)射極－基極結(jié)不會發(fā)生變化，因為電壓不變。

基區(qū)變窄對于電流的影響有以下兩方面：

由于基區(qū)變得更窄，電子與空穴復(fù)合的可能性更小。若穿過基區(qū)的電荷梯度增加，那么注入基區(qū)的少子電流會增加。若集電區(qū)電壓升高，以上因素都會使集電區(qū)或晶體管的輸出電流增大，如概述圖所示的BJT輸出特性曲線。特性曲線中電壓較大時的切線進(jìn)行反向外推，其延長線與電壓軸相交，在電壓軸上截得的負(fù)截距稱為厄利電壓（Early voltage），記為VA。

從厄利效應(yīng)可以看出，如果BJT的基區(qū)寬度發(fā)生變化，會導(dǎo)致更大的反向偏置電壓在集電極－基極接面，會增加集電極－基極耗盡區(qū)寬度，減少基區(qū)寬度?？偟膩碚f，增加集電極電壓（VC），集電極電流（IC）也會跟著上升。

大信號模型

在正向有源區(qū)中，厄利效應(yīng)使集電區(qū)電流IC和正向共射極電流放大系數(shù)βF發(fā)生了改變，通常二者滿足下列關(guān)系：

其中VCE是集電極－發(fā)射極電壓VT是熱電壓kT / qVA是厄利電壓（一般為15 V－150 V，對于小型設(shè)備會更小）βF0是零偏壓時的正向共射極電流放大系數(shù)

某些模型把集電極電流校正系數(shù)建立在集電極－基極電壓VCB（基區(qū)寬度調(diào)制）而不是集電極－發(fā)射極電壓VCE的基礎(chǔ)上。利用VCB建模在物理上似乎更為合理，因為從厄利效應(yīng)的物理原因上來看，集電極－基極耗盡層的變寬取決于VCB的變化。計算機(jī)模型例如SPICE中所用的模型都使用集電極－基極電壓VCB。

小信號模型

在小信號電路模型（如混合π模型）中，厄利效應(yīng)可以被定義為滿足如下關(guān)系的電阻：

可看出上式與晶體管的集電極－發(fā)射極PN結(jié)有關(guān)，因此這一電阻定義可解釋簡單電流鏡或有源負(fù)載共射極放大器的有限輸出電阻。

若與SPICE中保持一致，使用VCB來表示電阻，則上式變?yōu)?#xff1a;

對于MOSFET，輸出電阻在Shichman-Hodges模型（在非常陳舊的技術(shù)中是精確模型）中被定義為：

其中VDS = 漏源極電壓，ID = 漏極電流，λ = 溝道長度調(diào)制系數(shù)，通常與溝道長度L 成反比。由于MOSFET也有類似的雙極性，MOSFET中也會使用“厄利效應(yīng)”這一術(shù)語來描述類似的現(xiàn)象。