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半導(dǎo)體的發(fā)展

現(xiàn)代社會(huì)對(duì)于芯片的需求是越來越多了，90 年代我們能在收音機(jī)，電視機(jī)，DVD，上面看到芯片的身影，進(jìn)入 2000 年，電腦，手機(jī)逐漸進(jìn)入中國(guó)家庭，中國(guó)高速發(fā)展的 30 年中，芯片在市場(chǎng)中的地位越來越高，越來越多的產(chǎn)品開始大量使用了芯片。

全球公司和政府都在關(guān)注下一代半導(dǎo)體會(huì)發(fā)展成什么樣子，甚至很多人預(yù)言未來的文明是硅基文明，而不是碳基文明。

芯片的發(fā)展如此重要，大眾對(duì)于芯片的了解還是很少的，今天我們就先了解下，半導(dǎo)體技術(shù)是怎么發(fā)展起來的。

半導(dǎo)體的發(fā)展跟其他新技術(shù)的發(fā)展是一樣的，人類對(duì)于哲學(xué)，數(shù)學(xué)，物理和化學(xué)世界的深入研究，對(duì)于未知世界的強(qiáng)烈渴望。

• 1874 年，德國(guó)科學(xué)家卡爾-布勞恩發(fā)現(xiàn)，有些天然礦石具有電流單向?qū)ㄌ匦?#xff0c;后續(xù)有人通過這些特性，開發(fā)出來了礦石檢波器和礦石收音機(jī)。
• 1883 年，愛迪生發(fā)現(xiàn)了加熱燈絲，會(huì)在旁邊放置的銅絲上產(chǎn)生電流，并把這個(gè)現(xiàn)象命名為愛迪生效應(yīng)。
• 1904 年，弗萊明根據(jù)這個(gè)愛迪生效應(yīng)發(fā)明了真空二極管。真空二極管長(zhǎng)得像燈泡，跟現(xiàn)在半導(dǎo)體二極管不是一個(gè)東西。
• 1906 年，德福雷斯特發(fā)明了真空三極管，真空三極管能實(shí)現(xiàn)檢波（濾波），放大等功能。
• 1913 年，AT&T 購(gòu)買了真空三極管專利，隨后幾年成立了貝爾電話實(shí)驗(yàn)室公司，就是后來的貝爾實(shí)驗(yàn)室。
• 1946 年，世界上第一臺(tái)通用計(jì)算機(jī) ENIAC 誕生了，這個(gè)計(jì)算機(jī)幾乎占據(jù)了整個(gè)房間，耗電量高達(dá) 170KW，使用了超過 17000 個(gè)真空管。
• 1948 年，肖克利發(fā)明了雙極結(jié)型晶體管（BJT）

從此半導(dǎo)體也開始為公眾所熟知。

這是一個(gè)從 0 到 1 的過程，促進(jìn)這種轉(zhuǎn)變的是人們對(duì)于物質(zhì)世界的深入研究和探索（從開始發(fā)現(xiàn)天然礦石的電流單向?qū)ㄌ匦缘桨堰@個(gè)現(xiàn)象通過人為的手段創(chuàng)造出來一個(gè)同樣功能的產(chǎn)品）。

這種探索的速度，隨著 MOSFET 的發(fā)明而加速了。MOSFET 在功能上與晶體管（BJT）沒有太大區(qū)別，但是 MOSFET 是在硅片上形成了 2 種類型的半導(dǎo)體層，然后再其上放置金屬，形成了扁平的形態(tài)。這種扁平的形態(tài)，方便在硅片上同時(shí)制造多個(gè) MOSFET，這樣隨著 PN 越做越小，就可以在很小的尺寸上，做出功能強(qiáng)大的芯片。

這是從 1 到摩爾定律的過程。

現(xiàn)在制程已經(jīng)往 1nm 發(fā)展了，人類一遍又一遍的突破極限，未來量子級(jí)別的芯片可能會(huì)成為現(xiàn)實(shí)。

制程的發(fā)展，使得芯片的尺寸越來越小，創(chuàng)世推出的 SD NAND 也是把存儲(chǔ)芯片的尺寸做到極致，4GB 的 SD NAND 尺寸只有 6.2*8mm，非常適合手表，耳機(jī)等穿戴領(lǐng)域。

對(duì)比市場(chǎng)通用的 eMMC 在穿戴手表，錄音 Mic 和耳機(jī)市場(chǎng)等市場(chǎng)有著巨大的優(yōu)勢(shì)。
歡迎客戶對(duì)比，測(cè)試。