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10、電路綜合-基于簡化實(shí)頻的寬帶匹配電路設(shè)計(jì)方法
網(wǎng)絡(luò)綜合和簡化實(shí)頻理論學(xué)習(xí)概述中的1-9介紹了SRFT的一些基本概念和實(shí)驗(yàn)方法,終于走到了SRFT的另一個(gè)究極用途,寬帶匹配電路的設(shè)計(jì)。
1、之前的一些回顧與總結(jié)
之前也給出了一些電路綜合的案例,但是這些案例必須基于解析函數(shù)形式的S參數(shù),在更為一般的情況下我們難以基于此去完成設(shè)計(jì),我們往往需要基于要匹配的阻抗去設(shè)計(jì)實(shí)際的電路:
5、電路綜合-超酷-基于S11參數(shù)直接綜合出微帶線電路圖
基于給定的S11參數(shù)的表達(dá)式綜合出其對應(yīng)的微帶電路圖,注意此處的S11參數(shù)表達(dá)式需要是解析形式(即要是函數(shù)表達(dá)式的形式)
6、電路綜合-基于簡化實(shí)頻的SRFT微帶線切比雪夫低通濾波器設(shè)計(jì)
基于切比雪夫函數(shù)進(jìn)行電路綜合,基于目標(biāo)參數(shù)直接進(jìn)行電路綜合得到其對應(yīng)的微帶電路,給出了對應(yīng)的理論與操作步驟(附Matlab代碼)
7、電路綜合-基于簡化實(shí)頻的SRFT微帶線巴特沃茲低通濾波器設(shè)計(jì)
基于巴特沃斯函數(shù)進(jìn)行電路綜合,基于目標(biāo)參數(shù)直接進(jìn)行電路綜合得到其對應(yīng)的微帶電路,給出了對應(yīng)的理論與操作步驟(附Matlab代碼)
8、電路綜合-基于簡化實(shí)頻的SRFT微帶線的帶通濾波器設(shè)計(jì)
基于巴特沃斯與切比雪夫函數(shù)進(jìn)行電路綜合,基于目標(biāo)參數(shù)直接進(jìn)行電路綜合得到其對應(yīng)的帶通的微帶電路,給出了對應(yīng)的理論與操作步驟(附Matlab代碼)
2、簡化實(shí)頻的寬帶匹配電路設(shè)計(jì)方法理論
阻抗匹配其實(shí)就是S11電路的匹配,給定需要匹配的阻抗數(shù)值去設(shè)計(jì)微帶電路,其實(shí)就是給定了部分頻點(diǎn)的S11參數(shù)去綜合出電路圖。我們唯一需要的就是根據(jù)部分頻點(diǎn)的S11參數(shù)去擬合S11在理查德域的解析表達(dá)式。
這個(gè)擬合過程也可以看為一個(gè)優(yōu)化過程,是為了使得解析表達(dá)式盡可能的接近已知的S11參數(shù)。其基本過程和9、電路綜合-基于簡化實(shí)頻的任意幅頻響應(yīng)的微帶電路設(shè)計(jì)一致,在此不過多贅述。
3、簡化實(shí)頻的寬帶匹配電路Matlab代碼與簡單驗(yàn)證
案例:將10歐姆在2.1-5.1GHz內(nèi)匹配至50歐姆,在代碼中設(shè)置幾個(gè)離散的頻率點(diǎn)以及目標(biāo)阻抗即可:
% 設(shè)置要控制的頻點(diǎn)
f_target=[2.1 2.7 3.3 3.9 4.5 5.1]*1e9;
% 設(shè)置要控制的對應(yīng)阻抗,進(jìn)行歸一化
z_target=[10 10 10 10 10 10]/Z0;
代碼的主題如下所示(詳細(xì)代碼從最上方鏈接下載):
clear
clc
close all
global Z0
global freq_solve% 使用1GHZ的微帶線,最高控制到3GHz,特性阻抗50歐姆
f=4e9;
fe=4e9;
Z0=50;
%使用k個(gè)級聯(lián)微帶線進(jìn)行設(shè)計(jì)
k=6;%在DC處無零點(diǎn)
q=0;
%初始化H的系數(shù)
h=-1.*ones(1,k);
we=2*pi*fe;
tau=pi/2/we;
%光速
c=299792458;
ele_l=360*tau*f;
l=ele_l/360*c/f;
disp(['此處使用在',num2str(f/1e9),'GHz下電長度為',num2str(ele_l),'°的微帶線進(jìn)行實(shí)現(xiàn)']);% 設(shè)置要控制的頻點(diǎn)
f_target=[2.1 2.7 3.3 3.9 4.5 5.1]*1e9;
% 設(shè)置要控制的對應(yīng)阻抗,進(jìn)行歸一化
z_target=[10 10 10 10 10 10]/Z0;
% 轉(zhuǎn)化為S11參數(shù)
s11_target=(z_target-1)./(z_target+1);% 定義優(yōu)化變量
x0=h;
% Call optimization with no transformer
A = [];
b = [];
Aeq = [];
beq = [];
lb = [];
ub = [];
% opt=optimset('Display','off');
% warning('off');
[x,fval] = fmincon(@(x)objective_Z(x,fe,q,k,l,f_target,s11_target),x0,A,b,Aeq,beq,lb,ub,[]);
disp(['error is ',num2str(fval)])
% warning('on');h=x;
h(k+1)=0;
% 基于優(yōu)化得到的h計(jì)算其他參數(shù)
[G,H,F,g]=SRFT_htoG(h,q,k);
tau=pi/2/we;%求解頻率范圍,單位GHz
f_start=2;
f_stop=5;
f_step=0.1;
%求解范圍
freq_solve=[f_start:f_step:f_stop]*1e9;%計(jì)算不同頻率下的相移常數(shù)beta
beta=2*pi*freq_solve/c;
%轉(zhuǎn)換到lamda域
lamda=1j*tan(beta*l);num_h=0;
for i=1:1:length(h)num_h=num_h+h(i).*lamda.^(length(h)-i);
end
num_g=0;
for i=1:1:length(g)num_g=num_g+g(i).*lamda.^(length(g)-i);
end
num_f=(1-lamda.^2).^(k/2);S11=num_h./num_g;SimthChart(3)=figure(3);
wxp_smithplot=smithplot(S11,'GridType','Z');
legend(['第',num2str(1),'次諧波']);
dcm_obj = datacursormode(SimthChart(3));
set(dcm_obj,'UpdateFcn',@myupdatefcn_smith1);
wxp_smithplot.Marker = {'+'};% 綜合得到所需的微帶電路
[Z_imp]=UE_sentez(h,g);
Z_imp=Z_imp.*Z0;
disp(Z_imp)
運(yùn)行得到的結(jié)果如下所示:
從Smith圓圖可見匹配較好,誤差較小。構(gòu)建ADS電路圖,源阻抗設(shè)置為10歐姆:
ADS的仿真結(jié)果如下所示,可見匹配完美,設(shè)計(jì)合理:
4、簡化實(shí)頻功率放大器匹配設(shè)計(jì)
簡化實(shí)頻在功率放大器的設(shè)計(jì)中非常有用,對于功率放大器的匹配電路來說,不同頻點(diǎn)的最佳頻率是在不同阻抗點(diǎn)的,例如CGH40006S的最佳源阻抗與負(fù)載阻抗如下所示:
基于如上的最佳阻抗值進(jìn)行SRFT電路設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)代碼如下(源匹配和負(fù)載匹配可以通過修改注釋來改變,提供了兩種優(yōu)化方法,提供修改注釋來切換):
clear
clc
close all
global Z0
global freq_solve% 使用1GHZ的微帶線,最高控制到3GHz,特性阻抗50歐姆
f=4e9;
fe=4e9;
Z0=50;
%使用k個(gè)級聯(lián)微帶線進(jìn)行設(shè)計(jì)
k=5;%在DC處無零點(diǎn)
q=0;
%初始化H的系數(shù)
h=-1.*ones(1,k);
we=2*pi*fe;
tau=pi/2/we;
%光速
c=299792458;
ele_l=360*tau*f;
l=ele_l/360*c/f;
disp(['此處使用在',num2str(f/1e9),'GHz下電長度為',num2str(ele_l),'°的微帶線進(jìn)行實(shí)現(xiàn)']);% 設(shè)置要控制的頻點(diǎn),源匹配
f_target=[2.1 2.7 3.3 3.9 4.5 5.1]*1e9;
% 設(shè)置要控制的對應(yīng)阻抗,進(jìn)行歸一化
z_target=[20-1j*12 20-1j*8 18-1j*4 7-1j*3 6-1j*7 10-1j*10]/Z0;% % 設(shè)置要控制的頻點(diǎn),負(fù)載匹配
% f_target=[2.1 2.7 3.3 3.9 4.5 5.1]*1e9;
% % 設(shè)置要控制的對應(yīng)阻抗,進(jìn)行歸一化
% z_target=[28+1j*14 26+1j*15 20+1j*13 19+1j*9 16+1j*7 15+1j*5.5]/Z0;% % 設(shè)置要控制的頻點(diǎn)
% f_target=[2.1 2.7 3.3 3.9 4.5 5.1]*1e9;
% % 設(shè)置要控制的對應(yīng)阻抗,進(jìn)行歸一化
% z_target=[10 10 10 10 10 10]/Z0;% 轉(zhuǎn)化為S11參數(shù)
s11_target=(z_target-1)./(z_target+1);%優(yōu)化方法二選一
OPTIONS=optimset('MaxFunEvals',20000,'MaxIter',50000,'Algorithm','levenberg-marquardt');
x=lsqnonlin('objective_Z',x0,[],[],OPTIONS,fe,q,k,l,f_target,s11_target);%優(yōu)化方法二選一
% A = [];
% b = [];
% Aeq = [];
% beq = [];
% lb = [];
% ub = [];
% % opt=optimset('Display','off');
% % warning('off');
% [x,fval] = fmincon(@(x)objective_Z(x,fe,q,k,l,f_target,s11_target),x0,A,b,Aeq,beq,lb,ub,[]);
% disp(['error is ',num2str(fval)])
% % warning('on');h=x;
h(k+1)=0;
% 基于優(yōu)化得到的h計(jì)算其他參數(shù)
[G,H,F,g]=SRFT_htoG(h,q,k);
tau=pi/2/we;%求解頻率范圍,單位GHz
f_start=2;
f_stop=5;
f_step=0.1;
%求解范圍
freq_solve=[f_start:f_step:f_stop]*1e9;%計(jì)算不同頻率下的相移常數(shù)beta
beta=2*pi*freq_solve/c;
%轉(zhuǎn)換到lamda域
lamda=1j*tan(beta*l);
num_h=0;
for i=1:1:length(h)num_h=num_h+h(i).*lamda.^(length(h)-i);
end
num_g=0;
for i=1:1:length(g)num_g=num_g+g(i).*lamda.^(length(g)-i);
end
num_f=(1-lamda.^2).^(k/2);
S11=num_h./num_g;
SimthChart(3)=figure(3);
wxp_smithplot=smithplot(S11,'GridType','Z');
legend(['第',num2str(1),'次諧波']);
dcm_obj = datacursormode(SimthChart(3));
set(dcm_obj,'UpdateFcn',@myupdatefcn_smith1);
wxp_smithplot.Marker = {'+'};
% %------------------------------------
% 綜合得到所需的微帶電路[Z_imp]=UE_sentez(h,g);
Z_imp=Z_imp.*Z0;
disp(Z_imp)
運(yùn)行結(jié)果如下所示:
構(gòu)建輸入匹配的ADS仿真電路圖,注意此處是輸入匹配,需要將微帶線的輸入輸出順序翻轉(zhuǎn)(第一段微帶線是49.6156歐姆,以此類推):
上圖,1端口接的是50歐姆端口,2端口連接晶體管的柵極,仿真觀察S22來判斷其匹配結(jié)果,匹配效果很好:
上面設(shè)計(jì)的是輸入匹配,下面進(jìn)行輸出匹配電路的設(shè)計(jì),同樣在上面代碼的基礎(chǔ)上修改注釋,再進(jìn)行綜合:
匹配效果一般,基本滿足要求,實(shí)際此處也需要考慮過擬合的問題,在此不額外贅述了?;诖私Y(jié)果構(gòu)建輸出匹配電路:
1端口接晶體管的漏極,2端口接50歐姆端口,觀察S11的仿真結(jié)果如下所示,和理論一致: