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邊界條件

  • 概述
  • 邊界條件類型
    • 1、理想導(dǎo)體邊界條件(Perfect E)
    • 2、理想磁邊界條件(Perfect H)
    • 3、有限導(dǎo)體邊界條件(Finite Conductivity)
    • 4、輻射邊界條件(Radiation)
    • 5、對稱邊界條件(Symmetry)
      • 阻抗乘法器
    • 6、阻抗邊界條件(Impedance)
    • 7、集總RLC邊界條件(Lumped RLC)
    • 8、分層阻抗邊界條件
    • 9、無限大地平面
    • 10、主從邊界條件
    • 11、理想匹配層

概述

  • 在電磁場理論學(xué)習(xí)中我們知道,電磁場問題的求解都?xì)w結(jié)于麥克斯韋(Maxwell)方程組的求解在HFSS中波動方程的求解同樣是由微分形式的麥克斯韋方程推導(dǎo)出來的。而邊界條件定義了求解區(qū)域的邊界以及不同物體交界處的電磁場特性,是求解麥克斯韋方程的基礎(chǔ)。
  • 只有在假定場矢量是單值、有界、并且沿空間連續(xù)分布的前提下,微分形式的麥克斯韋方程組才是有效的;而在求解區(qū)域的邊界、不同介質(zhì)的交界處和場源處,場矢量是不連續(xù)的,那么場的導(dǎo)數(shù)也就失去了意義。邊界條件就是定義跨越不連續(xù)邊界處的電磁場的特性,因此,正確地理解、定義并設(shè)置邊界條件,是正確使用HFSS仿真分析電磁場場特性的前提。
  • 使用HFSS時,用戶應(yīng)該時刻意識到:邊界條件確定場。正確地使用邊界條件,是HFSS能夠仿真分析出準(zhǔn)確結(jié)果的前提。

下面就來詳細(xì)介紹HFSS中邊界條件的類型、定義和設(shè)置操作步驟。

邊界條件類型

  • 阻抗邊界(lmpedance)
  • 理想匹配層(PML)
  • 有限導(dǎo)體邊界(Finite Conductivity)
  • 輻射邊界(Radiation)
  • 對稱邊界(Symmetry )
  • 主從邊界(Master and slave)
  • 集總RLC邊界(Lumped RLC)
  • 分層阻抗邊界條件(Lumped RLC)
  • 無限地平面(Infinite Ground Plane )
  • 理想導(dǎo)體邊界(Perfect E)
  • 理想磁邊界/自然邊界(Perfect H/Natural )
    在這里插入圖片描述

1、理想導(dǎo)體邊界條件(Perfect E)

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Perfect E 是一種理想電導(dǎo)體或簡稱為理想導(dǎo)體邊界條件。這種邊界條件的電場(E-Field)垂直于表面。有兩種邊界被自動設(shè)為理想導(dǎo)體邊界條件

  • 任何與背景相關(guān)聯(lián)的物體表面將被自動定義為理想導(dǎo)體邊界,并命名為outer邊界
  • 材料設(shè)為PEC(理想電導(dǎo)體)的物體表面被自動定義為理想導(dǎo)體邊界,并命名為smental

背景結(jié)構(gòu)的說明:

  • 所謂背景是指幾何模型周圍沒有任何物體占據(jù)的空間,任何與背景有關(guān)聯(lián)得物體表面被自動定義為理想導(dǎo)體邊界,并命名為外部邊界(Outer)條件.
  • 我們可以把幾何結(jié)構(gòu)想象為外面有一層很薄而且是理想導(dǎo)體的材料,如之前創(chuàng)建的波導(dǎo)
  • 如有必要,也可以改變背景的邊界條件,使其性質(zhì)與理想導(dǎo)體邊界條件不同。

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2、理想磁邊界條件(Perfect H)

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Perfect H 是一種理想的磁邊界,這種邊界條件上的電場方向與表面相切,磁場與表面垂直。
真實世界中不存在理想磁邊界,只是理論上的約束條件

自然邊界(Natural):

  • 當(dāng)理想導(dǎo)體邊界和理想磁邊界出現(xiàn)交疊時,理想磁邊界也稱為自然(Natural)邊界
  • 背景設(shè)置成 Perfect H邊界條件,可以模擬開放的自由空間
  • 在理想導(dǎo)體邊界上疊加理想磁邊界將去掉理想導(dǎo)體邊界的特性,相當(dāng)于在理想導(dǎo)體表面開個口,允許電場穿過

3、有限導(dǎo)體邊界條件(Finite Conductivity)

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  • 有耗導(dǎo)體/非理想導(dǎo)體邊界條件,電場垂直于物體表面
  • 有限導(dǎo)體邊界只在良導(dǎo)體模型下是有效的,即在給定的頻率范圍內(nèi),導(dǎo)體的厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于趨膚深度
  • 用戶設(shè)置參數(shù):導(dǎo)電率和導(dǎo)磁率
    在這里插入圖片描述

4、輻射邊界條件(Radiation)

  • 輻射邊界也稱為吸收邊界(Absorbing Boundary Condition,簡稱ABC),用以模擬開放的自由空間,模擬波輻射到空間的無限遠(yuǎn)處的情況,常用于天線問題的分析
  • 當(dāng)結(jié)構(gòu)中包含輻射邊界條件時,HFSS會自動計算結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)區(qū)場
  • PerfectH 邊界條件也可以模擬開放空間的情況,但該邊界條件不計算遠(yuǎn)區(qū)場
  • 輻射邊界條件是自由空間的近似,這種近似的準(zhǔn)確程度取決于波的傳播方向與輻射邊界之間的角度,以及輻射源與邊界之間的距離
    可以是任意形狀
    輻射邊界在各個方向上距離輻射體一般不小于λ/4
    入射能量和輻射邊界表面正交時,計算結(jié)果最準(zhǔn)確

在這里插入圖片描述
由圖可知,
輻射夾角為0時,反射系數(shù)最小,測量最準(zhǔn)確
輻射夾角為90時,反射系數(shù)最大,所有打過來的信號全部被輻射邊界所反射回去,測量誤差最大

5、對稱邊界條件(Symmetry)

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  • 模擬理想電壁或理想磁壁對稱面,應(yīng)用對稱邊界可以在構(gòu)造結(jié)構(gòu)時僅構(gòu)造一部分,減小結(jié)構(gòu)的尺寸和設(shè)計復(fù)雜性,縮短計算時間
  • 定義對稱平面時,遵循一下原則:
    對稱平面必須暴漏在背景中
    對稱面必須定義在平面上,不能定義在曲面上
    在一個問題上,最多只能定義三個正交對稱面
  • 絕對對稱面的類型
    如果電場垂直于對稱面且對稱,使用理想電壁對稱面
    如果磁場垂直于對稱面且對稱,使用理想磁壁對稱面

阻抗乘法器

  • 特性阻抗的計算
    Zpi —— 用功率(p)和電流(i)來計算,適合微帶線模型
    Zpu—— 用功率(p)和電壓(u)來計算,適合縫隙類結(jié)構(gòu)
    Zui—— 用電壓(u)和電流(i)來計算,適合TEM波

  • 阻抗乘法器的定義
    理想電壁

  • 阻抗乘法器的設(shè)置
    Perfect E :理想電壁對稱面
    Perfect H :理想磁壁對稱面
    在這里插入圖片描述

6、阻抗邊界條件(Impedance)

用于模擬已知阻抗的邊界表面,如薄膜電阻表面:表面的阻抗 Zs=Rs+jXs,其中 RS是 Ohms/Square為單位的電阻,Xs是以 Ohms/Square為單位的電抗

7、集總RLC邊界條件(Lumped RLC)

8、分層阻抗邊界條件

9、無限大地平面

10、主從邊界條件

11、理想匹配層

理想匹配層(Perfectly Matched Layers,簡稱PML),是能夠完全吸收入射電磁波的假想的各項異性材料邊界。理想匹配層有兩種典型的應(yīng)用:一是用于外場問題中的自由空間截斷,二是用于導(dǎo)波問題中的吸收負(fù)載。
對于導(dǎo)波的吸收負(fù)載,理想匹配層模擬導(dǎo)波結(jié)構(gòu)均勻地延伸到無窮遠(yuǎn)處。
對于自由空間截斷情況,理想匹配層的作用類似于輻射邊界條件,PML表面能夠完全吸收入射過來的電磁波。和輻射邊界條件相比,理想匹配層因為能夠完全吸收入射的電磁波,零反射,因此計算結(jié)果更精確:同時理想匹配層表面可以距離輻射體更近(差不多十分之一個波長即可),不需要像輻射邊界表面一般需要距離輻射體大于四分之一個波長

http://www.risenshineclean.com/news/58935.html

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