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阿里云從哪里建設(shè)網(wǎng)站交換友情鏈接的渠道有哪些

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1、發(fā)現(xiàn)推挽帶有上下拉電阻

1.1、stm32手冊(cè)

記憶中推挽是不需要上下拉的,沒關(guān)注過,但是我真的理解上下拉嗎,下圖來自stm32f4的中文版和英文版的數(shù)據(jù)手冊(cè),沒有翻譯錯(cuò),就是“推挽帶有上下拉的能力”。

1.2、查找相關(guān)信息

搜索到一篇推挽上下拉的文章,實(shí)際測(cè)試表格如下,從他的數(shù)據(jù)來看,推挽不加上下拉對(duì)低電平的影響很大,直接變成了1.2V。(持保留意見)

我不信,于是開始測(cè)試,推挽加或不加上拉電阻,高電平是3.270V,低電平是0.006V.

那這個(gè)1.2V是錯(cuò)誤數(shù)據(jù)?再看其他引腳配置,上拉推挽輸出低是0.134V,比起別的輸出低電平時(shí)的0.005V也要高不少,推測(cè)是這個(gè)引腳外圍電路的影響,他測(cè)試的時(shí)候有的引腳不是懸空的。

2、負(fù)載對(duì)輸出電平的影響

上拉推挽輸出低電平,懸空0.006V,加10mA負(fù)載是0.236V。

上拉推挽輸出高電平,懸空3.270V,加10mA負(fù)載是3.067V。

結(jié)論:IO的驅(qū)動(dòng)能力是有限的,負(fù)載明顯影響著輸出電平的電壓;

對(duì)于stm32f4芯片,大概10mA負(fù)載電流,電壓會(huì)拉0.2V左右。

3、驅(qū)動(dòng)能力是什么

驅(qū)動(dòng),動(dòng)詞,做謂語,賓語是什么,驅(qū)動(dòng)什么,驅(qū)動(dòng)負(fù)載,驅(qū)動(dòng)能力指的是驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力。

驅(qū)動(dòng),動(dòng)詞,做謂語,主語是什么,什么來驅(qū)動(dòng),電源。

合起來就是,電源驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力。

(再繼續(xù),電源分電壓源和電流源,下面只說電壓源)

3.1、電壓源

3.1.1、理想電壓源

不管負(fù)載是什么,電壓源輸出的電壓不變,電路模型和伏安特性曲線如下:

3.1.2、實(shí)際電壓源

含有內(nèi)阻,內(nèi)阻和負(fù)載影響著電壓源輸出的電壓,電路模型和伏安特性曲線如下:

?

現(xiàn)實(shí)中,IO口推挽輸出對(duì)應(yīng)實(shí)際電壓源,比如推挽輸出高電平看做一個(gè)3.3V的電壓源,隨著負(fù)載加大,電流增大,內(nèi)阻上分去的電壓也增大,負(fù)載兩端的電壓就減小,所以上面測(cè)試,加10mA負(fù)載后,電壓從3.270V降到了3.067V。

4、推挽的電路結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)能力

4.1、推挽的電路結(jié)構(gòu)

下圖是手冊(cè)中IO口的內(nèi)部結(jié)構(gòu),推挽就是通過控制PMOS和NMOS的導(dǎo)通,只導(dǎo)通PMOS輸出高,只導(dǎo)通NMOS輸出低。

4.2、推挽的驅(qū)動(dòng)能力

稍微簡(jiǎn)化一下上圖。

以輸出高電平(PMOS導(dǎo)通NMOS截止)、不加上拉電阻為例。

此時(shí)電流的路徑是VDD——PMOS——負(fù)載,MOS導(dǎo)通是有內(nèi)阻的,可以看做是電壓源的內(nèi)阻,還是上面3.1.2所說的,負(fù)載越大內(nèi)阻上分壓越大,所以負(fù)載上電壓減小,推挽的驅(qū)動(dòng)能力就是受到內(nèi)阻的影響。

?

4.3、上拉電阻對(duì)于驅(qū)動(dòng)能力的影響

繼續(xù)看圖,PMOS和上拉電阻的上端都是連VDD,PMOS導(dǎo)通電阻和上拉電阻并連,等效為新的內(nèi)阻,由于是并連,所以現(xiàn)在的內(nèi)阻比之前的小,驅(qū)動(dòng)能力就會(huì)增強(qiáng)。

上面是理論分析,實(shí)際測(cè)試加不加上拉電阻,在空載和負(fù)載兩種情況下沒啥區(qū)別,為什么配置推挽上拉電阻驅(qū)動(dòng)能力測(cè)不出明顯區(qū)別呢?

要看PMOS的內(nèi)阻是多少,上拉電阻是多少。

PMOS內(nèi)阻:20mA下降1.3V,內(nèi)阻62歐;6mA下降0.4V,內(nèi)阻66歐。

PMOS取66歐,上拉取40K,并聯(lián)完了65.9歐,測(cè)不出來明顯區(qū)別就合理了。

?

http://www.risenshineclean.com/news/54567.html

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