防反接設(shè)計(jì)：

同步電路和異步電路的區(qū)別:

同步電路:存儲(chǔ)電路中所有觸發(fā)器的時(shí)鐘輸入端都接同一個(gè)時(shí)鐘脈沖源，因而所有觸發(fā)器的狀態(tài)的變化都與所加的時(shí)鐘脈沖信號(hào)同步。

異步電路:電路沒(méi)有統(tǒng)一的時(shí)鐘，有些觸發(fā)器的時(shí)鐘輸入端與時(shí)鐘脈沖源相連，只有這些觸發(fā)器的狀態(tài)變化與時(shí)鐘脈沖同步，而其他的觸發(fā)器的狀態(tài)變化不與時(shí)鐘脈沖同步。

H7---tool的波形顯示功能在調(diào)PID方面具有很大優(yōu)勢(shì)。

iic中上拉電阻的作用：

IIC是一種同步的串行通信協(xié)議，它只需要兩根線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，即數(shù)據(jù)線（SDA）和時(shí)鐘線（SCL）。在IIC通信中，上拉電阻是必需的，主要基于以下幾點(diǎn)原因：確保通信時(shí)總線處于高電平狀態(tài)：IIC總線在空閑時(shí)，兩根線（SDA和SCL）都必須保持高電平狀態(tài)。由于IIC接口采用Open Drain機(jī)制，它本身只能輸出低電平而無(wú)法主動(dòng)輸出高電平。因此，需要通過(guò)外部上拉電阻將信號(hào)線拉至高電平，確?？偩€在空閑時(shí)保持高電平狀態(tài)使總線的電平變化和數(shù)據(jù)傳輸更加穩(wěn)定可靠：上拉電阻的存在有助于穩(wěn)定總線的電平變化，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃员苊饪偩€處于未定義狀態(tài)：如果總線上沒(méi)有任何器件拉低SDA或SCL線，總線可能會(huì)處于未定義狀態(tài)。上拉電阻的存在可以避免這種情況的發(fā)生，確?？偩€在無(wú)主設(shè)備的情況下也能正確地讀取總線電平關(guān)于是否可以不要上拉電阻，這取決于具體的硬件設(shè)計(jì)和應(yīng)用需求。一些單片機(jī)型號(hào)內(nèi)部已經(jīng)設(shè)置了上拉電阻，因此在使用這些單片機(jī)時(shí)，可能不需要額外的外部上拉電阻。然而，如果單片機(jī)使用的是標(biāo)準(zhǔn)的IIC接口，那么通常不需要外部上拉電阻。但如果使用單片機(jī)的引腳來(lái)模擬IIC協(xié)議，并且引腳不支持漏極開路模式或上拉模式，那么就需要接入一個(gè)外部的上拉電阻。

MCU中斷分為：EXTI外部中斷，USART,IIC,TIM等的中斷。

ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）和定時(shí)器可以通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)聯(lián)動(dòng)：使用定時(shí)器觸發(fā)ADC采樣：定時(shí)器可以設(shè)置為在固定的時(shí)間間隔后觸發(fā)ADC進(jìn)行一次采樣。這種方式可以確保每次ADC采樣的時(shí)間間隔都是固定的，從而避免數(shù)據(jù)的誤差。當(dāng)定時(shí)器觸發(fā)ADC采樣時(shí)，ADC會(huì)開始轉(zhuǎn)換模擬信號(hào)為數(shù)字信號(hào)，并在轉(zhuǎn)換完成后將結(jié)果存儲(chǔ)在指定的寄存器中。

結(jié)構(gòu)體（struct）和聯(lián)合體（union，也稱為共用體）是兩種構(gòu)造數(shù)據(jù)類型的方式，它們?cè)贑語(yǔ)言中經(jīng)常被使用。結(jié)構(gòu)體（struct）：結(jié)構(gòu)體是由一系列具有相同類型或不同類型的數(shù)據(jù)構(gòu)成的數(shù)據(jù)集合。換句話說(shuō)，結(jié)構(gòu)體允許將不同的數(shù)據(jù)組合成一個(gè)整體，其變量是共存的。結(jié)構(gòu)體的各個(gè)成員會(huì)占用不同的內(nèi)存，互相之間沒(méi)有影響。這種數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是存儲(chǔ)容量較大，包容性強(qiáng)，且成員之間不會(huì)相互影響（因?yàn)樗鼈冋加貌煌膬?nèi)存）。然而，缺點(diǎn)是結(jié)構(gòu)體的內(nèi)存使用量至少等于所有成員占用的內(nèi)存總和，這可能導(dǎo)致內(nèi)存的浪費(fèi)，因?yàn)椴皇撬械某蓡T都可能會(huì)被使用。聯(lián)合體（union）：聯(lián)合體也是由不同的數(shù)據(jù)類型組成，但其變量是互斥的，所有的成員共占一段內(nèi)存。聯(lián)合體使用了內(nèi)存覆蓋技術(shù)，這意味著同一時(shí)刻只能保存一個(gè)成員的值，一次只能使用一個(gè)成員。如果對(duì)新的成員賦值，就會(huì)覆蓋原來(lái)成員的值。因此，雖然聯(lián)合體中可以定義多個(gè)成員，但其大小由最大的成員大小決定，共用體占用的內(nèi)存等于最大的成員占用的內(nèi)存。

SVPWM，全稱是空間矢量脈寬調(diào)制，是一種比較新穎的控制方法。它主要由三相功率逆變器的六個(gè)功率開關(guān)元件組成，通過(guò)特定的時(shí)序和換相產(chǎn)生的脈寬調(diào)制波。SVPWM的目的是生成一個(gè)可以調(diào)壓和調(diào)頻的三相對(duì)稱交流電源。SVPWM的主要原理是平均值等效原理，即在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)，通過(guò)對(duì)基本電壓的矢量進(jìn)行組合，使其平均值與給定電壓相等。這個(gè)過(guò)程涉及到將逆變器和電動(dòng)機(jī)看作一個(gè)整體，使用八個(gè)基本電壓矢量合成期望的電壓矢量。通過(guò)建立逆變器功率器件的開關(guān)狀態(tài)，并依據(jù)電機(jī)磁鏈和電壓的關(guān)系，實(shí)現(xiàn)對(duì)電動(dòng)機(jī)恒磁通變壓變頻調(diào)速。與傳統(tǒng)的正弦PWM（SPWM）相比，SVPWM使得繞組電流波形的諧波成分減小，降低了電機(jī)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)，使旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)更逼近圓形。此外，SVPWM還提高了直流母線電壓的利用率，并且更易于實(shí)現(xiàn)數(shù)字化。

輸入失調(diào)電壓和失調(diào)電流是描述運(yùn)算放大器或差分放大器性能的兩個(gè)重要參數(shù)。輸入失調(diào)電壓（是指在兩個(gè)輸入端之間的電位差（即偏置電壓）。理論上，當(dāng)兩個(gè)輸入端接地時(shí)，輸出應(yīng)該為零，但實(shí)際上會(huì)有一些殘余電壓，這個(gè)殘余電壓就是輸入失調(diào)電壓。例如，如果一個(gè)運(yùn)算放大器的輸入失調(diào)電壓為2mV，當(dāng)兩個(gè)輸入端都接地時(shí)，實(shí)際上輸出電壓不為零，而是2毫伏。這種失調(diào)電壓會(huì)對(duì)電路的整體準(zhǔn)確性產(chǎn)生嚴(yán)重影響，因?yàn)樗鼤?huì)弱化兩個(gè)輸入信號(hào)之間的差異，從而增加電路的誤差。失調(diào)電流是指當(dāng)一個(gè)運(yùn)算放大器的兩個(gè)輸入端電勢(shì)相等時(shí)，兩個(gè)輸入端之間的電流。當(dāng)兩個(gè)輸入端接地時(shí)，運(yùn)放的虛對(duì)地電流不為零，這個(gè)電流就是失調(diào)電流。失調(diào)電流也可以引起電路的失調(diào)，因?yàn)檩斎攵说钠秒娫措娏鲿?huì)通過(guò)放大器的輸入電阻產(chǎn)生一定的偏置電壓，從而影響電路的輸出準(zhǔn)確性。

ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）前端要接電壓跟隨器的主要目的是提高采集電路的輸入阻抗和抑制輸入信號(hào)的干擾。電壓跟隨器，也稱為緩沖放大器，其輸出電壓近似等于輸入電壓，但具有較高的輸入阻抗和較低的輸出阻抗。在ADC采集電路中，輸入信號(hào)可能受到來(lái)自外部環(huán)境的干擾，或者由于采集電路本身的輸入阻抗較低而導(dǎo)致信號(hào)失真。通過(guò)添加電壓跟隨器，可以將輸入信號(hào)隔離開來(lái)，從而提高輸入阻抗，減少對(duì)輸入信號(hào)的影響。此外，電壓跟隨器還可以提供穩(wěn)定的輸入電壓，確保輸入信號(hào)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。另外，ADC通常需要一個(gè)穩(wěn)定的參考電壓作為基準(zhǔn)，電壓跟隨器也可以用來(lái)提供穩(wěn)定的參考電壓，以確保ADC的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

常用的不同電壓基準(zhǔn)芯片

MOS管的導(dǎo)通電阻RDS(on)與閾值電壓VGS（th）溫度特性詳解_mos管導(dǎo)通電阻-CSDN博客

MOS管的導(dǎo)通電阻是正溫度特性，閾值電壓是負(fù)溫度特性.不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通電阻RDS（on）都隨著溫度的升高而增大，閾值電壓絕對(duì)值都隨溫度的升高而降低。

DSP:（主要用于數(shù)字信號(hào)處理）

數(shù)字電源為什么一般用DSP控制。第一個(gè)原因是因?yàn)槠胀▎纹瑱C(jī)沒(méi)有高分辨率定時(shí)器，在低壓小電感高頻中常用

網(wǎng)上學(xué)習(xí)的芯片是DSP28335，教程如下：

【普中官方】DSP28335手把手開發(fā)講解視頻_嗶哩嗶哩_bilibili

為什么數(shù)字電源通常采用DSP控制而不是普通單片機(jī)？_嗶哩嗶哩_bilibili

DSP和通用單片機(jī)的區(qū)別是什么？_嗶哩嗶哩_bilibili

RAM（Random Access Memory）和ROM（Read-Only Memory）是計(jì)算機(jī)中兩種不同類型的存儲(chǔ)器，它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下方面：存儲(chǔ)特性：RAM是一種可以隨機(jī)讀寫數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，它的特點(diǎn)是可讀可寫，且讀寫速度較快。然而，RAM中的數(shù)據(jù)在斷電后會(huì)丟失，因此它主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序和數(shù)據(jù)。而ROM則是一種只能讀取不能寫入的存儲(chǔ)器，其數(shù)據(jù)在制造過(guò)程中被一次性寫入，并在之后永久保存，不會(huì)在斷電后丟失。ROM主要用于存儲(chǔ)固定不變的程序和數(shù)據(jù)，如操作系統(tǒng)的引導(dǎo)程序、重要的參數(shù)設(shè)置等。功能應(yīng)用：在手機(jī)中，RAM相當(dāng)于電腦的內(nèi)存，負(fù)責(zé)程序的運(yùn)行和數(shù)據(jù)交換，它決定了手機(jī)可以開多少后臺(tái)程序以及運(yùn)行速度的快慢。而ROM則相當(dāng)于電腦的硬盤，是一個(gè)存儲(chǔ)空間，可以存儲(chǔ)各種文件，包括視頻、照片、音樂(lè)、軟件等。

ARM本身并不是單片機(jī)。ARM是一種處理器架構(gòu)，而非單片機(jī)。單片機(jī)是一種集成了處理器、存儲(chǔ)器和外設(shè)的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。雖然ARM處理器可以用于單片機(jī)設(shè)計(jì)，例如ARM Cortex-M系列的處理器常被用于單片機(jī)領(lǐng)域，但它本身并不等同于單片機(jī)。ARM處理器具有低功耗、高性能、高可靠性等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備，包括智能手機(jī)、平板電腦、嵌入式系統(tǒng)等。因此，雖然ARM處理器在單片機(jī)設(shè)計(jì)中有所應(yīng)用，但不能將ARM直接等同于單片機(jī)。

MOS:

功率MOSFET的15點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)（上） - 知乎

一種由MOS組成的理想二極管：

一種繼電器電路：

DDR：

深入淺出DDR系列(一)--DDR原理篇_ddr interleave-CSDN博客

深入淺出DDR系列(二)--DDR工作原理_ddr內(nèi)存的基本原理2-CSDN博客

DDR布線規(guī)則與過(guò)程——見(jiàn)過(guò)最簡(jiǎn)單的DDR布線教程_ddr3線序-CSDN博客

ROM是可讀可寫，并且速度很快，而ROM只能事先寫，然后就只能讀取，所以程序在運(yùn)行過(guò)程中必須讀寫，就必須要有RAM存在。ROM只作為儲(chǔ)存用途，斷電不會(huì)丟失數(shù)據(jù)；而RAM在斷電的時(shí)候會(huì)丟失數(shù)據(jù)

手撕Buck！Buck公式推導(dǎo)過(guò)程_buck電路輸出電壓公式-CSDN博客

功率電感 - 知乎 (zhihu.com)

半橋變換：

三相全橋變換和半橋變換的區(qū)別和優(yōu)缺點(diǎn)：

首先，從電路結(jié)構(gòu)來(lái)看，三相全橋變換電路由四個(gè)開關(guān)管組成，每個(gè)橋臂上都有兩個(gè)開關(guān)功率管，橋臂間的功率開關(guān)管是相互作用的，并且存在固定相位差。而三相半橋變換電路則只采用了三相橋電路的一半，只有兩個(gè)開關(guān)管。這種結(jié)構(gòu)差異使得半橋變換電路在抗不平衡能力上表現(xiàn)較好，因?yàn)楫?dāng)變壓器線圈續(xù)流能量過(guò)多時(shí)，半橋電路可以通過(guò)隔直電容吸收多余的能量，從而解決磁通不平衡的問(wèn)題。

其次，從工作原理來(lái)看，三相全橋變換電路能夠提供更完整的正弦波輸出，因此在三相負(fù)載中各相電壓的平衡性較好，諧波分量較少，電磁干擾也較小。而三相半橋變換電路只能提供交流電的一半波形，因此負(fù)載的平均電壓較低，電機(jī)轉(zhuǎn)矩輸出較小，且其輸出含有較多的諧波分量，容易產(chǎn)生電磁干擾。

在應(yīng)用特性上，三相全橋變換電路通常適用于較高功率需求，其輸出功率范圍可以達(dá)到幾百千瓦甚至更高。而三相半橋變換電路則一般適用于低功率應(yīng)用，輸出功率范圍通常在幾十千瓦級(jí)別。此外，三相全橋電路在設(shè)計(jì)中需要在輸出端外接交流變壓器，而半橋電路則采用高頻的PWM對(duì)電路進(jìn)行調(diào)制，通常不需要加輸出變壓器。

MOS管可以并聯(lián)均流使用嗎？為什么？

MOS管可以做并聯(lián)均流使用，三極管不可以。因?yàn)?span style="background-color:#ffff00;">MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，MOS管導(dǎo)通電阻會(huì)增大。而BJT管子具有負(fù)溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會(huì)減小。MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中的均流，因此當(dāng)電路中的電流很大時(shí)，一般會(huì)采用并聯(lián)MOS的方法來(lái)分流。采用MOS管進(jìn)行分流，當(dāng)其中一路電流大于另一路MOS中的電流時(shí)，電流大的MOS產(chǎn)生的熱量就會(huì)多，從而引起導(dǎo)通阻抗的增大，減小流過(guò)的電流。MOS管之間根據(jù)電流大小的不同來(lái)反復(fù)調(diào)節(jié)，最后可以實(shí)現(xiàn)并聯(lián)MOS之間電流的均衡，MOS管并聯(lián)均流使用的一般原則是計(jì)量讓其工作在相同的工作環(huán)境下。

因此、為了使電流能夠靜態(tài)均衡分配，可采取以下措施：

1）對(duì)于要并聯(lián)的MOSFET管，嚴(yán)格匹配器件的Rds。

2）對(duì)具有獨(dú)立外殼的MOSFET管并聯(lián)工作時(shí)，應(yīng)置于同一個(gè)散熱片上，并且盡量靠近。

3）對(duì)于動(dòng)態(tài)均流，并聯(lián)器件的跨導(dǎo)曲線必須重合。如果所有并聯(lián)工作的器件柵極在同一時(shí)刻具有相同的電壓，但跨導(dǎo)不重合，那么無(wú)論導(dǎo)通還是關(guān)斷，各個(gè)器都會(huì)承擔(dān)不同的電流。MOS的跨導(dǎo)曲線是指描述MOS管柵極電壓與漏極電流之間關(guān)系的曲線。

4）此外，電路的對(duì)稱設(shè)計(jì)對(duì)平衡動(dòng)態(tài)電流也很重要，從柵極驅(qū)動(dòng)器的共同輸出點(diǎn)到柵極端子的引線長(zhǎng)度應(yīng)該相等，從MOSFET管源極端子到共同結(jié)點(diǎn)的引線長(zhǎng)度也應(yīng)該相等。

三極管的飽和條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

三極管的輸入輸出曲線：

IIC總線有不同的模式，其通訊速率也因此有所不同。具體來(lái)說(shuō)，標(biāo)準(zhǔn)模式的時(shí)鐘頻率為100KHz，數(shù)據(jù)傳輸速率為100Kbit/s；快速模式的時(shí)鐘頻率為400KHz，數(shù)據(jù)傳輸速率為400Kbit/s；而高速模式的時(shí)鐘頻率為3.4MHz，數(shù)據(jù)傳輸速率為3.4Mbit/s。這些不同的速率范圍適用于不同的場(chǎng)景。例如，100kbit/s速率適用于對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度要求不高的場(chǎng)景，如溫度、濕度、光照等傳感器的數(shù)據(jù)更新。而400kbit/s速率則適用于數(shù)據(jù)傳輸速度稍高的場(chǎng)景，甚至一些低速率傳感器和存儲(chǔ)器也可以使用。3.4Mbit/s速率則適用于對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度要求非常高的場(chǎng)景。

IIC的傳輸速率遠(yuǎn)不如SPI，因此較為高速的傳輸用的都是SPI，例如內(nèi)存條，電機(jī)編碼器。

電源軟啟動(dòng)電路：三極管輸入信號(hào)為低電平的時(shí)候MOS的G極處于電源的上端為高電平，此時(shí)S極的電壓與G極形成不了大壓差，所以電源關(guān)斷。三極管輸入信號(hào)為高電平三極管的CE兩極導(dǎo)通，MOS的G極接地拉低，SG兩極形成電壓差所以電源開啟。后面的電容可以起到緩啟動(dòng)的效果，延長(zhǎng)上電時(shí)間就增大電容的值，反之減小電容的值。

緩啟動(dòng)電路：

兩種主要的作用：1.防抖動(dòng)延時(shí)上電2.控制輸入電流的上升斜率和幅值。

基于MOS緩啟動(dòng)電路筆記-CSDN博客

MOS管——緩啟動(dòng)電路（實(shí)例講解） - 知乎 (zhihu.com)

MOS相比三極管導(dǎo)通電流大，導(dǎo)通電阻小，但其導(dǎo)通最大電壓沒(méi)有三極管大。

BUCK電路的損耗主要包括以下幾個(gè)方面：

導(dǎo)通損耗：當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，由于存在導(dǎo)通電阻，會(huì)產(chǎn)生一定的功率損耗。這種損耗主要由功率管導(dǎo)通電阻引起。另外，非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)管的電壓不是立即下降到零，而是有一個(gè)下降時(shí)間，同時(shí)它的電流也不是立即上升到負(fù)載電流，也有一個(gè)上升時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)，開關(guān)管的電流和電壓有一個(gè)交疊區(qū)，也會(huì)產(chǎn)生損耗，這個(gè)損耗即為開通損耗。

開關(guān)損耗：開關(guān)損耗主要由功率管MOS柵電容引起，包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗，而截止損耗則指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。

電感損耗：BUCK電路中的電感也會(huì)產(chǎn)生損耗，這是由于電感中的電流會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，從而導(dǎo)致能量的損耗。電感損耗主要包括鐵損和銅損。

電容損耗：BUCK電路中的電容也會(huì)產(chǎn)生一定的損耗，這是由于電容中的電流會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，從而導(dǎo)致能量的損耗。

續(xù)流二極管損耗：在死區(qū)時(shí)間內(nèi)，寄生二極管續(xù)流也會(huì)引起損耗。

控制電路損耗：BUCK電路中的控制電路也會(huì)產(chǎn)生一定的損耗。

為了提高BUCK電路的效率，可以采取一些優(yōu)化措施，如選擇低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)時(shí)間的開關(guān)管，合理選擇電感和輸出電容，以及優(yōu)化控制電路等。這些措施有助于減小各種損耗，提高電路的整體效率。

列舉一個(gè)電源樹：

單片機(jī)復(fù)位電路：

電容（3）——晶振電路的電容選擇_晶振負(fù)載電容 材質(zhì)-CSDN博客

晶振電路PCB設(shè)計(jì)：

1、 晶振信號(hào)線最短原則，減小輸出失真和啟動(dòng)穩(wěn)定時(shí)間。（線路太長(zhǎng)會(huì)增加寄生電容，而且容易發(fā)生串?dāng)_，而且會(huì)影響其他信號(hào)線）

2、 其他信號(hào)線（特別是模擬信號(hào)線）遠(yuǎn)離晶振線。（晶振線路信號(hào)跳動(dòng)頻繁，產(chǎn)生的磁場(chǎng)不斷變化，附近的線易受到干擾（電磁感應(yīng)定律））

3、 晶振焊接面可以采用包地處理，并多打地孔；晶振底層保持完整的地平面，不要有走線。（這個(gè)地主要是給干擾信號(hào)一個(gè)的泄放通道）

三極管放大電路:共集，共基，共射

三極管放大電路的原理與識(shí)圖技巧 - 知乎 (zhihu.com)

RS232:

深入理解RS232串口 (zhihu.com)