DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器SDRAM）

關(guān)于內(nèi)存方面知識，大部分人、包括我自己也不是很懂，希望此篇文章能起到點作用，做硬件的就得把相關(guān)專業(yè)知識學(xué)牢了，尤其是專業(yè)術(shù)語。

下面是DDR4知識做一次分享，之所以選擇介紹DDR4，是因為現(xiàn)在DDR5的應(yīng)用還較少，而DDR4的使用普遍，當(dāng)然后面還會考慮介紹DDR3，下文中就有一部分是DDR4跟DDR3的對比，我們先把DDR4的硬件相關(guān)知識給吃透了。有錯誤或者更深了解的可以留言指正。

首先我們來了解下DDR4的新特性：

一：性能大幅提升：

從DDR3的1600Mbps提升到DDR4的3200Mbps。理論速率可達到2倍。

二：低能耗，高能效：

采用先進工藝技術(shù)，可以在提高性能、降低成本同時減少能耗。

1.2V POD：采用低電壓供電和偽開漏接口，可以降低功耗。

DDR3接口標(biāo)準(zhǔn),短截線串聯(lián)端接邏輯(Stub Series Termination Logic,SSTL)和DDR4接口標(biāo)準(zhǔn),“偽開漏”(PseudoOpen Drain,POD)進行了詳細研究和異同比較。

POD 作為 DDR4 新的驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)，最大的區(qū)別在于接收端的終端電壓等于VDDQ；而 DDR3 所采用的 SSTL 接收端的終端電壓為 VDDQ/2。

偽開漏（POD）I/O緩沖

DDR4的I/O緩沖已經(jīng)從DDR3的推挽（push-pull）改成了偽開漏（pseudo open drain）模式；POD輸出高時，接收端跟發(fā)送端兩端電壓是一樣的，故而沒有電流流動，只有當(dāng)輸出低的時候才會損耗能量，故可以做到減低開關(guān)電流，如若再使能DBI功能，可以更進一步節(jié)省開關(guān)電流，從而減低串?dāng)_，最終獲得更好的眼圖。

三：可靠性顯著提高

增加寫操作循環(huán)冗余檢驗（Write CRC）可幫助識別多位故障。

增加命令（CMD）、地址（ADD）通路的奇偶校驗（Parity）發(fā)生故障。