以上部分，主存儲器：程序存儲器；

啟動程序代碼：系統(tǒng)存儲器；

用戶選擇字節(jié)：選項字節(jié)

以下是閃存的管理員，用于擦除和讀寫的地址

C8T6一共64K，主存儲器為64頁

以下是整體框圖：

FLASH的整體流程：

1、解鎖+加鎖

通過鍵寄存器對FLASH進行解鎖（先用KEY1解鎖，再用KEY2解鎖），上一步完成后，要盡快加鎖：加鎖的時候在LOCK位寫1即可鎖住

2、使用指針訪問存儲器

讀取寄存器地址為0X08000000的內(nèi)容，將其強制轉(zhuǎn)換為16位的指針類型，前一個*表示：指針取內(nèi)容，將該地址下的內(nèi)容取出（不需要解鎖那一步，寫才需要）

__IO用了define定義為變量，當(dāng)編譯器沒有優(yōu)化的時候，這個可加可不加，但是當(dāng)編譯器優(yōu)化時，為防止有些必須代碼被優(yōu)化掉，可在其前加__IO，防止被優(yōu)化

3、全擦除過程

在程序中，并沒有判斷LOCK位是否為1的過程，直接執(zhí)行解鎖功能

也不會去讀出并驗證所有頁的數(shù)據(jù)

此時的信息塊（系統(tǒng)存儲器+選項字節(jié)）不受影響

閃存頁擦除

4、寫編程

如果需要寫入很多數(shù)據(jù)就不斷調(diào)用寫入程序即可

5、選項字節(jié)的擦除（了解）

6、選項字節(jié)寫入（了解）

7、器件電子簽名（了解）

代碼部分：

首先是編寫MyFlash文件，包含寫編程、擦除和讀的程序；

之后再建立一個實現(xiàn)參數(shù)讀寫和存儲管理功能的Store，其中建立一個數(shù)組用于放置掉電不丟失的數(shù)據(jù)，調(diào)用函數(shù)自動備份到Flash中；

之后在主函數(shù)通過寫入數(shù)據(jù)調(diào)用store的數(shù)組，并備份到Flash中，實現(xiàn)任意讀寫參數(shù)，掉電不丟失功能

1、MyFlash

讀取函數(shù)（32位、16位、8位）

全擦除函數(shù)

頁擦除函數(shù)：

編程字節(jié)：

2、store模塊

（1）先定義一個SRAM數(shù)組，用于管理FLASH最后一頁數(shù)據(jù)，實現(xiàn)參數(shù)的任意讀寫和保存，需要備份再統(tǒng)一轉(zhuǎn)到閃存中

512：16位2字節(jié)正好對應(yīng)閃存一頁1024字節(jié)

（2）判斷閃存是否是第一次初始化

判斷該頁地址下的第一個半字是否是A5A5——不是，則表明第一次初始化，先進行頁擦除——在該頁的第一個半字處寫入A5A5——將剩余的字節(jié)均寫為0

（2）上電后將閃存的數(shù)據(jù)全都轉(zhuǎn)移到SRAM中，保證掉電數(shù)據(jù)不丟失（閃存——SRAM的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移）

（3）SRAM——閃存的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換函數(shù)

（4）清除所有數(shù)據(jù)函數(shù)（先將SRAM的數(shù)據(jù)清零——再將數(shù)據(jù)從SRAM轉(zhuǎn)移到閃存）

主函數(shù)：除了初始化各類函數(shù)外，主要實現(xiàn)按鍵1按下數(shù)據(jù)增加

按鍵2按下數(shù)據(jù)全部清0

數(shù)據(jù)掉電不丟失且復(fù)位也不會改變

實驗結(jié)果如下：

讀取芯片ID：

直接在main中編寫：

顯示結(jié)果：

STM32江科大老師的視頻完結(jié)！