一、 問題的現(xiàn)象及描述
采用博通WIFI方案方案的兩個項目在做CE高頻雜散測試時發(fā)現(xiàn)5G RX出現(xiàn)10.359 GHz的高頻雜散點，通過更換信道，該雜散點跟著改變，最終確認(rèn)該頻率是5G主信號的二倍頻；如下圖：

二、 問題分析
? 由于這個高頻雜散點隨主頻改變，并且是主頻的二倍頻，所以首先懷疑是TX的二次諧波，但測試的是RX雜散，故懷疑是RX測試時TX未完全關(guān)閉，導(dǎo)致射頻通路上二次諧波超標(biāo)，然后我們將天線直接去掉，發(fā)現(xiàn)在信寶測試結(jié)果未有任何改善，并在實驗室用傳導(dǎo)方式測試射頻輸出口，未發(fā)現(xiàn)二次諧波，并且射頻通路有雙工器，對二次諧波抑制較好，故可以判定RX的10.359G雜散不是從天線輻射出去；
通過軟件方法給出解決方案nvram set sb/1/vcotune=1，可以降低3dB左右，但依然超標(biāo)嚴(yán)重，但至少還是很有用；
? 在實驗室用頻譜儀掃描發(fā)現(xiàn)10.359G這個雜散點在正面鋁散熱器和背面的兩路電源處（SYNTH_VDD3_3V_C1和SYNTH_VDD3_3V_C0）能量最強，在信寶實驗室測試也發(fā)現(xiàn)當(dāng)DUT轉(zhuǎn)到正面的鋁散熱器處超標(biāo)最嚴(yán)重，故直接去掉鋁散熱器，但依然超標(biāo)5~6dB，這里也說明鋁散熱器不能使用，輻射太嚴(yán)重；
? 去掉正面鋁散熱器，依然超標(biāo)5~6dB，這時在信寶測試，發(fā)現(xiàn)DUT轉(zhuǎn)到PCB板背面輻射超標(biāo)最嚴(yán)重，故開始在背面貼吸波材料+正面采用陶瓷散熱器方案，這種方案可行，但一致性很難保證，并且不美觀，遭到淘汰；
? 既然知道輻射源，我們直接采用屏蔽罩方案，但在測試過程中發(fā)現(xiàn)只屏蔽背面，正面會超標(biāo)很嚴(yán)重，單一屏蔽正面，背面又會超標(biāo)很嚴(yán)重，故正反兩面都需要屏蔽，拿了一塊板做驗證，將正反都屏蔽，發(fā)現(xiàn)超標(biāo)更加嚴(yán)重，超標(biāo)7~8dB，判斷是沒有將輻射源全部屏蔽，仔細(xì)排查PCB電路發(fā)現(xiàn)有三根電源線離SYNTH頻率合成電源很近，懷疑是耦合到電源線上，電源線當(dāng)天線將其輻射，

? 既然懷疑是電源線充當(dāng)天線，將輻射源輻射，故用銅箔紙將這些電源線屏蔽，在實驗室測試，輻射減弱很多，超標(biāo)2_{4dB；但依然還是超標(biāo)，并且測試發(fā)現(xiàn)超標(biāo)最嚴(yán)重在正面，故懷疑是屏蔽罩焊接不良導(dǎo)致，將正面屏蔽罩重新焊接，然后測試發(fā)現(xiàn)RX雜散裕量0.2}0.7dB左右，勉強通過，焊接三臺機測試發(fā)現(xiàn)稍微焊接不好屏蔽罩就會超標(biāo)；
? 通過上述措施，依然余量不是很足，故考慮從電影電路設(shè)計上看能否在優(yōu)化一些余量，由于10.359GHz這個雜散點在頻率合成電源處輻射能力最強，這兩路電源設(shè)計如下：入圖片描述](https://i-blog.csdnimg.cn/direct/ad46250c5e5f406f8fa3be71022449eb.png#pic_center)

既然知道源頭是主芯片博通WIFI方案沿著SYNTH兩路電源對外輻射的，在實驗室定位問題時發(fā)現(xiàn)兩路電源附近的地都有很強的雜散信號，這樣會導(dǎo)致附近一些尖銳的器件都會形成天線對外輻射；故在芯片到電源間連接放一顆高頻磁珠，并且去掉芯片管腳附近的濾波電容，在信寶實驗室RX雜散有1_{2dB的余量，到此解決了RX的10.359雜散點，華碩競品在信寶實驗室超標(biāo)3}4dB，去掉金屬散熱器才可以PASS，故金屬散熱器不能加上去；
? RX雜散解決后，在信寶實驗室細(xì)看TX雜散發(fā)現(xiàn)10.359超標(biāo)7~10dB，最后在屏蔽罩內(nèi)將FEM屏蔽或者晶振屏蔽都可以解決，屏蔽后會有10dB以上的余量，猜想原因可能是，10.359GHz的雜散耦合到晶振的金屬和FEM的蓋子上，然后又離屏蔽罩距離太近，導(dǎo)致雜散信號在蓋子里面來回反射，導(dǎo)致這個頻點的TX雜散也惡化很嚴(yán)重，故需要在屏蔽罩里對fem或者晶振進行屏蔽，其中最有效的是直接屏蔽晶振，但考慮到晶振溫度超標(biāo)等風(fēng)險，選擇了屏蔽FEM，到此10.359GHz在博通WIFI方案平臺上的這個雜散問題得到解決。
三、 解決過程
增加正反屏蔽罩，并且正面屏蔽罩里對FEM進行單獨屏蔽，SYNTH兩路電源靠近芯片端的100nf濾波電容直接去掉，并且將0歐姆電阻改為高頻磁珠。
四、 改進后效果
采用上述改進措施，工廠貼裝10pcs拿到信寶進行測試，RX余量都在1.5d以上，TX雜散余量都在10dB以上
五、 結(jié)論
現(xiàn)在CE的標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)，產(chǎn)品設(shè)計往往在最后的EMC高頻雜散上出問題，對于以后像這種由芯片設(shè)計缺陷產(chǎn)生的雜散超標(biāo)點，要首先定位到輻射源、輻射路徑，然后從電路設(shè)計上和破壞輻射路徑兩方面著手，對其進行解決！