一.高邊驅(qū)動(dòng)和低邊驅(qū)動(dòng)

低邊驅(qū)動(dòng)(LSD): 在電路的接地端加了一個(gè)可控開(kāi)關(guān)，低邊驅(qū)動(dòng)就是通過(guò)閉合地線來(lái)控制這個(gè)開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)。容易實(shí)現(xiàn)（電路也比較簡(jiǎn)單，一般由MOS管加幾個(gè)電阻、電容）、適用電路簡(jiǎn)化和成本控制的情況。

高邊驅(qū)動(dòng)（HSD）：在電路的電源端加了一個(gè)可控開(kāi)關(guān)。高邊驅(qū)動(dòng)就是控制這個(gè)開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)。高邊驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)比同等的低邊復(fù)雜一些，一個(gè)原因是它通常使用（NMOSFET）作為功率元件。

低邊驅(qū)動(dòng)通常用于與動(dòng)力總成相關(guān)的負(fù)載，例如電機(jī)，加熱器等；高邊驅(qū)動(dòng)經(jīng)常用于燃油泵和車身相關(guān)功能，如座椅、照明、雨刷和風(fēng)扇等。

二.高邊驅(qū)動(dòng)和低邊驅(qū)動(dòng)原理

三、BMS系統(tǒng)中的低邊驅(qū)動(dòng)和高邊驅(qū)動(dòng)

3.1低邊驅(qū)動(dòng)

低邊驅(qū)動(dòng)優(yōu)點(diǎn)：低邊方案是目前應(yīng)用比較成熟且比較容易實(shí)現(xiàn)的方案，驅(qū)動(dòng)控制簡(jiǎn)單。可以直接由AFE控制?多數(shù)產(chǎn)品也是基于低邊方案設(shè)計(jì)的。目前大部分模擬前端也集成了低邊驅(qū)動(dòng)的能力， 比如我們上一代的經(jīng)典產(chǎn)品 BQ769x0?系列就是采用的低邊保護(hù)方案。CFET/DFET使用低壓NMOS器件，成本低、體積小、RDSon小、使用中發(fā)熱量小，

缺點(diǎn)則是?CFET，DFET 關(guān)斷的時(shí)候，電池包的地和系統(tǒng)端的地不再共地， 所以一旦有保護(hù)被觸發(fā)關(guān)斷充放電 FET，電池端和系統(tǒng)端不再能夠?qū)崿F(xiàn)直接通信。若想繼續(xù)實(shí)現(xiàn)通信， 則需要采用隔離通信，這不僅會(huì)增加成本，同時(shí)也會(huì)增加功耗，尤其是欠壓保護(hù)時(shí)，過(guò)大的通訊功耗 對(duì)于原本就欠壓的電池包更是雪上加霜。因此低邊方案主要應(yīng)用于對(duì)成本更為敏感的沒(méi)有復(fù)雜通信的 產(chǎn)品中。

3.2高邊驅(qū)動(dòng)

高邊驅(qū)動(dòng)優(yōu)勢(shì)在于電池包和ECU共地，當(dāng)高邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)485/CAN 通信仍保持正常，

缺點(diǎn)是高邊開(kāi)關(guān)需要高壓PMOS，成本高、體積大、 RDSon大、充放電時(shí)發(fā)熱嚴(yán)重。

3.3隔離方案的產(chǎn)生

為了解決通信的問(wèn)題，各家開(kāi)始采用隔離的方式。